為維持國內半導體供應鏈在國際的關鍵地位，行政院會今天（17日）通過被稱為「護國神山條款」的台版晶片法《產業創新條例》第10之2條修正草案，半導體業將適用，立法通過後可望明年實施。台積電回應，公司將持續投資台灣，並對修正案樂觀其成。

針對草案通過，台灣半導體產業協會 （TSIA） 表示持正面的支持態度，指產創條例修法對產業有利，將有助推動研發創新。

該條例修正草案有利於台灣半導體產業發展，也將對目前在國際供應鏈上具有關鍵地位的公司提供前瞻研發、設備投資給予抵減優惠，其中前瞻研發部分支出抵減率將高達25％為最高。通過後將更有利於台灣半導體產業發展。

因應全球晶片荒，美國、日本、韓國等各大國都相繼針對半導體產業提出補助措施，而台灣為在國際供應鏈中持續穩固關鍵地位也提出相應做法，主要以鼓勵先進研發並投入資源進行具開創性、突破性創新為主。而為投入資源研發創新也勢必耗費高昂的研發經費，因此經濟部提出產創條例修法並新增投資抵減優惠，鼓勵「護國群山」產業持續創新。

而根據《產業創新條例》第10之2條草案指出，為強化產業之國際競爭優勢，並鞏固我國產業全球供應鏈之地位，針對符合近3年內無違反環境保護、勞工或食安衛生相關法律且情節重大情事等一定條件者，給予25%之前瞻研發支出抵減及5％先進設備抵減，而2項抵減分別上限皆不可超過當年營利事業所得稅30％、並2項合計不得超過50％。