南韓檢方12日證實，已經起訴1名曾在三星電子擔任高階主管的65歲男子，他涉嫌竊取商業機密，企圖在中國西安複製1座與三星「一模一樣的山寨晶片廠」，廠房的設計工程資料（BED）與工廠配置圖等設計都完全仿照三星的半導體廠。

路透報導，南韓京畿道水原地檢署12日表示，這名65歲男子在南韓半導體業界已有28年資歷，在三星電子以及SK海力士曾擔任常務理事、副社長等高階主管職務。

彭博引述檢方聲明指出，這名男子涉嫌在2018年8月至2019年期間，以「不當、非法」的手段取得三星電子的機密，包括半導體廠的基本工程資料（basic engineering data）、工廠配置圖、設計圖等商業機密，企圖在中國打造1座完全複製三星半導體廠的山寨廠。

NEW: A former Samsung executive allegedly stole blueprints and designs to replicate an entire semiconductor plant in China, Korean prosecutors sayhttps://t.co/L5nciPsD0n

— Bloomberg (@business) June 12, 2023

南韓檢方指控嫌犯企圖利用這些機密資料，在「距離三星西安廠1.5公里遠」的位置蓋山寨廠。不過，這項建廠計畫的8兆韓元（約1910億新台幣）資金來自1家「台灣公司」，但最後這家台灣公司並未兌現投資承諾，建廠計畫也就跟著泡湯。

南韓檢方聲明強調，這起事態嚴重，無論是犯罪規模還是損害程度，都難以與過去、個別的半導體技術洩露案件「相提並論」。這些機密外洩，造成三星電子至少3000億韓元（約71.6億新台幣）的損失；而嫌犯企圖在中國完全複製南韓企業的半導體工廠，在國際半導體產業競爭激烈的情形下，是嚴重危及南韓半導體基礎、打擊南韓經濟安全的重大犯罪行為。

設計30奈米以下等級、DRAM以及NAND快閃記憶體等技術，被南韓政府認定為國家核心技術的製造技術。南韓檢方另外還起訴其他6人，包括三星電子工廠建設承包商的1名員工。