美中晶片戰再升級！中國3D NAND快閃記憶體製造商「長江存儲」，9日在美國加州北區地方法院提告，指控美國記憶晶片龍頭「美光科技」，涉嫌侵犯長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。

中國媒體「第一財經」11日報導，美國加州北區法院公布的訊息，長江存儲9日指控美光及全資子公司美光消費產品集團侵其8項美國專利。長江存儲在專利侵權提告書中表示，提起訴訟是為了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲的創新專利。

長江存儲是中國最大的3D NAND快閃記憶體製造廠商，旗下擁有、本次涉案的美國專利，包括US10,950,623（3D NAND記憶體件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（3D記憶體件的直通陣列接觸）、US10,937,806 （3D記憶體件的直通陣列接觸）、US10,861,872（3D記憶體件及其形成方法）、US11,468,957（NAND記憶體操作的體系結構和方法）、US11,600,342（3D維快閃記憶體的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊3D記憶體件及其製造方法）。

長江存儲在提告書中指控，美光的128層、176層等許多系列3D NAND侵犯了長江存儲8項專利。美光在未經授權的情況下，使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，獲得並保護市場占有率。他們提起訴訟旨在解決以下問題：美光試圖迫使長江存儲退出3D NAND Flash市場，來阻止競爭和創新。

長江存儲也強調，長江存儲不再是新秀，而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司結論說，長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者，超過了美光。

長江存儲科成立於2016年7月，總部位於湖北武漢， 專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM積體電路，同時也提供完整的記憶體解決方案。

美中科技戰一再升級，中國網信辦5月表示，美光在中國銷售的產品，存有嚴重的網路安全問題，未通過審查，因此中國營運商應停止採購美光的產品，代表美光產品在中國將面臨禁售危機。美國此前，也於2022年10月對先進晶片生產設備實施出口限制措施，並將長江存儲等36家陸企列入貿易黑名單。