三星電子將與將與台積電合作,開發最新的高頻寬記憶體「HBM4」。(取自三星網站)
南韓「三星電子」傳出將與台積電合作,開發最新的高頻寬記憶體「HBM4」,以滿足輝達等AI晶片大廠的需求,並在記憶體市場與SK海力士競爭。若三星電子與台積電的合作成真,將是兩家公司首度在AI領域上合作。
南韓商業媒體「Businesskorea」報導,三星電子記憶體業務部門負責人李禎培(Jung-Bae Lee)正在台灣參加國際半導體展「SEMICON Taiwan 2024」執行長峰會,他指出僅憑藉傳統的記憶體製程,對HBM效能的提升有限,客製化的HBM才是其中關鍵。李禎培透露,三星正尋求與其他公司合作,利用其他晶圓代工廠的產能,提供客戶20多種客製化的解決方案。
台積電生態系統與聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin 5日也宣布說,三星電子和台積電正在合作開發1款無緩衝(bufferless)的HBM4晶片。Kochpatcharin表示,隨著記憶體製程變得越來越複雜,與商業夥伴的合作也變得非常重要。
三星電子與其在晶片代工領域上的競爭對手台積電合作,是有史以來第1次。三星電子目前在晶片代工的全球市占率約為11%,遠遠落後全球龍頭台積電的61.7%。
兩家公司史無前例的合作將從HBM4開始,這款晶片計畫於明年下半年量產。雖然三星電子有能力「自己」提供與HBM4相關的全面服務,包括代工和先進封裝,但與台積電合作,可擴大產能,以最大程度地滿足輝達和Google等主要客戶的「訂製需求」,同時爭取更多客戶,以奪回在HBM市場的主導地位。
三星電子之所以與台積電聯手,是因為HBM4的製程與前幾代產品明顯不同。雖然無緩衝HBM4的效能比過去產品高出40%,但製程複雜度顯著增加,且須滿足客戶的各種需求。南韓記憶體龍頭「SK海力士」早在7月便宣布與台積電生產HBM4晶片,計畫在2026年量產。